Etapa de salida RF de 360w

Con tan só dous transistores traballando en paralelo se logra esta etapa de saída que provee unha potencia total de 360 ​​vatos con tan só 40 na súa entrada.

El centro de este proyecto son dos transistores de potencia de RF de la firma Philips Semiconductors BLX15, funcionando en configuración paralelo. As únicas tres resistencias do sistema deben ser de 10 watts e de carbón, ambos transistores deben estar debidamente disipados a fin de non sobrecalentarse.

Todas as bobinas marcadas como BI sen do tipo impresas, as cales están debuxadas na plaqueta por medio de pistas de cobre. RFC (uno en cada base) son choques de RF convencionales. CH es una bobina de 2 vueltas de alambre 1.5mm sobre ferrite para choques. Las bobinas L (unha en cada colector) están formadas por 3 voltas de alambre 1.5mm sobre aire de 9mm.

El Axuste de ESTA realízase Etapa de izquierda a derecha, desde la entrada hacia la salida, con Carga pantasma de servizos posible.

Aquí está en escala real o deseño do circuíto impreso o que debe ser de dobre cara (a outra debe ser completamente cobre) e en material epoxy.

Os compoñentes colocáronse seguindo a seguinte guía:

Unha vez armado e calibrado o módulo pode ser colocado dentro dun gabinete (preferentemente metálico). Es muy recomendable montar la fuente de alimentación en el interior del mismo gabinete a fin de minimizar la absorción de ruidos.

Dada a potencia (no noso caso) decidimos dotar á unidade de potencia de ventiladores eléctricos. El circuito se alimenta con 50 volts y 7 ampers (casi nada).

Noso outro produto:

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